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產(chan) 品與(yu) 解決(jue) 方案
DDB低壓動態補償櫃
- 詳細描述
- 原理及特性
- 型號定義及選型說明
- 技術參數
概述
DDB型係列低壓動態無功補償(chang) 裝置即晶閘管投切電容器(TSC-Thyristor SwitchedCapacitor)型靜止無功補償(chang) (SVC)裝置,可連續調節補償(chang) 裝置的無功功率。裝置采用大功率晶閘管組成的無觸點開關(guan) ,對多級電容電容器組進行快速無過渡過程投切,克服了傳(chuan) 統無功功率補償(chang) 器因采用機械觸點燒損,對電容衝(chong) 擊大等缺點,對各種負荷均能起到良好的補償(chang) 效果。DDB型動態無功補償(chang) 裝置動態響應速度快(小於(yu) 20ms),節能降耗效果顯著,動態補償(chang) 功率因素高,具有降低損耗,穩定負載電壓,增加變壓器帶載能力等功能,是無功功率補償(chang) 領域的更新換代產(chan) 品。
適用範圍
DDB係列低壓動態無功補償(chang) 裝置可廣泛用於(yu) :
負荷功率因數偏低,線路電壓降較大,需要進行無功功率補償(chang) 的場合;
應用於(yu) 負載功率因數變化範圍大,變化速度快的場合;
對電壓波動和動態補償(chang) 有較高要求的用電場合;
廣泛用於(yu) 電力、機械製造、汽車、冶金、造船、港運、鐵路、煤礦、化工、油田等。
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工作原理及特點
DDB係列動態無功補償(chang) 裝置由控製器、觸發單元、晶閘管、電抗器、電容器及保護元件等組成、控製器以數字信號處理器DSP為(wei) 核心,實時跟蹤測量負荷的功率因數,無功功率,與(yu) 預先設定的給定值進行比較,動態控製投切不通組數的電容器,以保證功率因數始終滿總設定要求。整個(ge) 測量執行過程在一個(ge) 周波內(nei) 完成(時間小於(yu) 20ms),控製器確保晶閘管過零觸發,使得投切電容器吳衝(chong) 擊、無湧流、無過渡工程。既動態快速跟蹤負荷變化,又克服了傳(chuan) 統無功補償(chang) 器對電容器所產(chan) 生的危害。
1.以微處理器為(wei) 檢測、控製核心,實時檢測負載無功功率,快速計算補償(chang) 容量,按照預置投切邏輯實現迅速判斷和控製;
2.采用晶閘管構成高速無觸點投切開關(guan) ,響應及時迅速,可靠性高,使用壽命長,自動跟蹤選擇係統零過渡過程時刻投切電容器組,暫態過程極短,實現對無功功率的快速動態補償(chang) ;
3.動態響應速度小於(yu) 20毫秒,功率因數動態補償(chang) 至0.9以上,並可有效抑製由於(yu) 無功變化導致的電壓波動;
4.電容器投切控製采用加權編碼循環先投先切工作方式,投切快速、準確,並能進一步降低電容器工作應力,充分延長電容器壽命;
5.電容器投切閾值和響應時間可編程,並可實現手動投切和自動投切的轉換,調試、檢驗方便,適用性更廣;
6.具有自檢功能和過壓保護、過流保護等多種硬件保護功能,確保這杯的穩定可靠運行;
7.自動監測係統電壓、電流、有功、無功和補償(chang) 前、後係統功率因數。
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執行標準
JB7113-93
GB/T15576-2008
主要技術參數
符合標準:GB/T15576-2008無功功率靜態補償(chang) 裝置總技術條件
補償(chang) 電量:(kvar),可以根據用戶要求配置
係統頻率:50Hz
補償(chang) 功率因數:≥0.9
環境溫度:-30℃—+50℃
結構形式:GGD、GCS、GCK、MNS等標準櫃體(ti) 任選,與(yu) 低壓配電櫃並盤安裝,也可按用戶實際需求設計和製作
保護功能:過濾、過熱、過壓、欠壓、諧波等功能
防護等級:IP20—IP30(由所選用配電櫃型確定)
殘留電壓:施加電壓斷開3分鍾後,降到50V以下
電抗器電抗率選用:4.5%—7%;12%—14%,根據電網諧波狀況定

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